سنترپتی موجودہ ٹرانسفارمر میں بنیادی اور ثانوی دھاروں کے درمیان تعلق کو بنیادی طور پر تبدیل کرتی ہے، جس سے پیمائش کی غلطیاں پیدا ہوتی ہیں جو پیمائش کی درستگی اور تحفظ کی وشوسنییتا دونوں پر سمجھوتہ کر سکتی ہیں۔ سی ٹی کی درستگی پر سنترپتی کے اثرات پیچیدہ ہیں اور یہ بنیادی کرنٹ ویوفارم کی نوعیت، بنیادی مادی خصوصیات، اور CT کے آپریٹنگ حالات پر منحصر ہیں۔ ان اثرات کو سمجھنا ایسے نظاموں کو ڈیزائن کرنے کے لیے ضروری ہے جو تمام آپریٹنگ حالات بشمول غلطی کے واقعات میں درست اور قابل اعتماد رہیں۔
درستگی پر سنترپتی کا بنیادی اثر تناسب کی خرابی میں اضافہ ہے۔ عام، غیر سیر شدہ حالات کے تحت، CT بنیادی کرنٹ کو ایک چھوٹی، قابل پیشن گوئی غلطی کے ساتھ تبدیل کرتا ہے جس کا تعین اس کی درستگی کی کلاس سے ہوتا ہے۔ ایک بار سنترپتی شروع ہونے کے بعد، جوش کرنٹ ڈرامائی طور پر بڑھتا ہے، بنیادی ایمپیئر کا ایک بڑا حصہ استعمال کرتا ہے-اور ثانوی کرنٹ آؤٹ پٹ کو کم کرتا ہے۔ اس کے نتیجے میں پرائمری کرنٹ کی پیمائش-کے تحت ہوتی ہے-ثانوی کرنٹ اصل پرائمری کرنٹ کے مقابلے میں کم ہے۔ اس غلطی کی شدت کافی ہو سکتی ہے، اکثر 10% سے زیادہ ہوتی ہے اور بعض اوقات شدید سنترپتی کے دوران 50% یا اس سے زیادہ تک پہنچ جاتی ہے۔
سنترپتی کے دوران مرحلے کی خرابی بھی نمایاں طور پر بڑھ جاتی ہے۔ بنیادی اور ثانوی کرنٹ کے درمیان فیز اینگل، جو عام طور پر چھوٹا ہوتا ہے (درست CTs کے لیے منٹوں میں ماپا جاتا ہے)، جب سنترپتی ہوتی ہے تو کئی ڈگری تک بڑھ سکتی ہے۔ فیز ایرر خاص طور پر پاور پیمائش ایپلی کیشنز کے لیے پریشانی کا باعث ہے، جہاں ایکٹو پاور وولٹیج، کرنٹ، اور ان کے درمیان فیز اینگل کے کوسائن کی پیداوار کے متناسب ہے۔ یہاں تک کہ ایک چھوٹے مرحلے کی خرابی بھی طاقت اور توانائی کی پیمائش میں خاص طور پر کم طاقت والے عوامل میں اہم غلطیوں کا سبب بن سکتی ہے۔
ثانوی کرنٹ ویوفارم کا بگاڑ سنترپتی کا ایک اور اہم اثر ہے۔ بنیادی طور پر سائنوسائیڈل ویوفارم کے بجائے جس کی لکیری آپریشن کے تحت توقع کی جائے گی، سنترپتی حالات میں ثانوی کرنٹ چوٹی اور غیر متناسب ہو جاتا ہے۔ یہ لہراتی مسخ ثانوی سرکٹ میں ہارمونکس کو متعارف کراتی ہے جو بنیادی کرنٹ میں موجود نہیں تھے۔ یہ ہارمونکس حساس الیکٹرانک ریلے اور میٹرز کے آپریشن میں مداخلت کر سکتے ہیں جو سائنوسائیڈل ویوفارمز کو فرض کرتے ہیں۔ پروٹیکشن ایپلی کیشنز میں، مسخ شدہ ویوفارم ریلے آپریشن میں تاخیر یا روک سکتا ہے، ممکنہ طور پر سسٹم کے تحفظ سے سمجھوتہ کر سکتا ہے۔
درستگی پر سنترپتی کا اثر بنیادی کرنٹ کی قسم پر نمایاں طور پر منحصر ہے۔ بغیر کسی DC جزو کے قریب-sinusoidal stimulation کے تحت، CT کی درستگی اس وقت تک زیادہ رہتی ہے جب تک کہ سنترپتی حد تک نہ پہنچ جائے۔ تاہم، درستگی بڑھتی ہوئی لہر کی مسخ اور لوڈ کرنٹ کے ساتھ بگڑ جاتی ہے۔ اعلی موجودہ سطح بنیادی غیر خطوطی اور سنترپتی کو بڑھاتی ہے، جس کے نتیجے میں بڑے تناسب اور مرحلے کی خرابیاں ہوتی ہیں، جبکہ ہارمونک مواد میں اضافہ کل ہارمونک بگاڑ کو بڑھاتا ہے اور بنیادی اور ثانوی کرنٹوں کے درمیان مرحلے کی نقل مکانی کا سبب بنتا ہے۔
فالٹ کرنٹ کے AC اور DC اجزاء درستگی کو مختلف طریقے سے متاثر کرتے ہیں۔ فالٹ کرنٹ کا DC جزو خاص طور پر درستگی کے لیے نقصان دہ ہے کیونکہ یہ کور کو اکیلے AC جزو سے زیادہ تیزی سے سنترپتی کی طرف لے جاتا ہے۔ ایک CT جو صرف AC-کے تحت درست طریقے سے کارکردگی کا مظاہرہ کرتا ہے جب DC آفسیٹ موجود ہوتا ہے تو تیزی سے سیر ہو سکتا ہے، جس کی وجہ سے غلطی کے ابتدائی چکروں میں بڑی خرابیاں پیدا ہوتی ہیں۔ یہ خاص طور پر پروٹیکشن ریلے کے لیے پریشانی کا باعث ہے جو تیز آپریشن کے لیے فالٹ کرنٹ کے پہلے چند چکروں پر انحصار کرتے ہیں۔
سنترپتی کے اثرات وقت کے ساتھ مختلف ہوتے ہیں۔ خرابی کے دوران، DC جزو تیزی سے زوال پذیر ہوتا ہے، اور AC کا جزو بھی شدت میں مختلف ہو سکتا ہے۔ CT غلطی کی مدت کے دوران متعدد بار سنترپتی میں داخل اور باہر نکل سکتا ہے، جس سے ایک پیچیدہ آؤٹ پٹ ویوفارم پیدا ہوتا ہے جس کی تشریح کرنا مشکل ہے۔ جدید عددی ریلے سنترپتی کا پتہ لگانے اور اس کی تلافی کے لیے نفیس الگورتھم استعمال کرتے ہیں، لیکن ان الگورتھم کی حدود ہوتی ہیں، اور شدید سنترپتی اب بھی تحفظ کی ناکامیوں کا باعث بن سکتی ہے۔
درجہ حرارت اور بنیادی مادی خصوصیات سنترپتی رویے کو متاثر کرتی ہیں۔ زیادہ درجہ حرارت بنیادی مواد کی سنترپتی بہاؤ کی کثافت کو کم کرتا ہے، جس سے سی ٹی کو کسی موجودہ سطح پر سنترپتی کے لیے زیادہ حساس بناتا ہے۔ مختلف بنیادی مواد-سلیکان اسٹیل، فیرائٹ، پرماللائے، نانو کرسٹل لائن، اور بے ساختہ مرکبات-مختلف پیرامیٹرز کے ساتھ سیچوریشن انڈکشن، کیوری ٹمپریچر، اور ریسسٹیویٹی کے ساتھ مختلف سیچوریشن خصوصیات رکھتے ہیں۔ سلکان سٹیل، سب سے عام بنیادی مواد، اعلی سنترپتی انڈکشن پیش کرتا ہے لیکن نسبتاً زیادہ نقصانات، جبکہ نانو کرسٹل لائن مواد سنترپتی کارکردگی کی قیمت پر زیادہ پارگمیتا پیش کرتا ہے۔
سیچوریشن-کی وجہ سے درستگی کی غلطیوں کے عملی نتائج اہم ہیں۔ میٹرنگ ایپلی کیشنز میں، سنترپتی کی خرابیاں توانائی کی کھپت کی کم-بلنگ کا باعث بنتی ہیں، جس کے نتیجے میں یوٹیلیٹی کو آمدنی میں نقصان ہوتا ہے۔ حفاظتی ایپلی کیشنز میں، سنترپتی کی خرابیاں حفاظتی ریلے کو ضرورت پڑنے پر کام کرنے میں ناکام ہونے کا سبب بن سکتی ہیں، جس سے سامان کو نقصان اور ممکنہ حفاظتی خطرات لاحق ہو سکتے ہیں۔ ان غلطیوں کے معاشی اور حفاظتی مضمرات یہ ضروری بناتے ہیں کہ سی ٹی اور ڈیزائن سسٹمز کا انتخاب کریں جو سنترپتی کے خطرے کو کم سے کم کریں۔
کئی حکمت عملی درستگی پر سنترپتی کے اثرات کو کم کر سکتی ہیں۔ زیادہ درستگی کی حد کے عنصر کے ساتھ CT کا انتخاب سنترپتی سے پہلے زیادہ ہیڈ روم فراہم کرتا ہے۔ ثانوی بوجھ کو کم کرنا ثانوی کرنٹ کو چلانے کے لیے درکار وولٹیج کو کم کرتا ہے، بہاؤ ہیڈ روم کو محفوظ رکھتا ہے۔ ایک بڑا CT کور یا زیادہ سنترپتی بہاؤ کثافت والا کور استعمال کرنے سے سنترپتی حد میں اضافہ ہوتا ہے۔ اہم تحفظاتی ایپلی کیشنز کے لیے، ایئر گیپس کے ساتھ CTs (لکیری کپلر) یا الیکٹرانک کرنٹ ٹرانسفارمرز (ECTs) جو مقناطیسی کور پر انحصار نہیں کرتے ہیں، سیچوریشن کے خدشات کو مکمل طور پر ختم کرنے کے لیے استعمال کیے جا سکتے ہیں۔
خلاصہ یہ کہ، سیچوریشن کے CT کی درستگی پر متعدد منفی اثرات ہوتے ہیں، بشمول تناسب کی بڑھتی ہوئی خرابی، مرحلے کی خرابی میں اضافہ، موج کی بگاڑ، اور وقت- خرابیوں کے دوران مختلف رویہ۔ میٹرنگ اور پروٹیکشن سسٹمز کے ڈیزائن میں ان اثرات پر احتیاط سے غور کیا جانا چاہیے، اور اس بات کو یقینی بنانے کے لیے مناسب اقدامات کیے جائیں کہ CT تمام متوقع حالات میں اپنے لکیری علاقے میں کام کرے۔